Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
1cb8b5d7a144e2b9d8702e2a769d18d5
Описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Пропускная способность (МБ/с)
25600
Производитель
Samsung
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Поддержка ECC
Есть
гарантия
1 год
ширина(см)
3
Высота (мм)
-
Тип модуля
DIMM
Поддержка водяного охлаждения
Нет
CAS Latency (CL)
22
Радиатор
Нет
Низкопрофильная
Нет
Производитель
Samsung
Количество контактов
288
Подсветка
Нет
длина(см)
13
описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Row Precharge Delay (tRP)
-
Дополнительная информация
-
manufacturerCountry
КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
Модель
M386A8K40DM2-CWE
Объем одного модуля (ГБ)
64
Напряжение (В)
1.2
название
Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
высота(см)
0.2
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
GTIN
00000000000000
gtdNumber
10005030/121022/3276015
Тайминги
22
Тип оборудования
Оперативная память
Поддержка Reg
Есть
Чип
-
Частота (MHz)
DDR3 - 3200
Общий объем памяти (ГБ)
64
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
масса(кг)
0.09
Количество чипов на модуле
-
Габариты (мм)
-
rusName
[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
сайт производителя
http://www.samsung.com/
Потребление энергии
-
Линейка
Нет
2014-2025 © Радиостафф - комплексные поставки радиочастотных комплектующих