Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
c2468ab27d9e3682f2c46f2d145a2366
Описание
Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовываться с частотой слота в материнской плате. Память Qumo QUM3U-4G1333K9R/C9 обладает следующими показателями: тактовая частота - MHz; пропускная способность 10600 МБ/с. Приобретайте оперативную память Qumo QUM3U-4G1333K9R/C9 у нас в интернет-магазине computermarket.ru по низкой цене с доставкой.
Объем одного модуля (ГБ)
4
manufacturerCountry
КИТАЙ
Модель
QUM3U-4G1333K9R/C9
Напряжение (В)
1.5 В (DDR3)
название
QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-10600) 1333MHz QUM3U-4G1333C9
GTIN
04897062175687
высота(см)
2
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
Тайминги
CL9
Тип оборудования
Оперативная память
gtdNumber
10005030/030822/3208887
Чип
-
Частота (MHz)
DDR3 - 1333
Поддержка Reg
Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
-
Общий объем памяти (ГБ)
4
Количество чипов на модуле
-
Габариты (мм)
-
масса(кг)
0.026
Расширенная операционная температура (Tcase)
-
rusName
[Модуль памяти] QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-10600) 1333MHz QUM3U-4G1333C9
Потребление энергии
-
Линейка
-
сайт производителя
http://www.qumo.ru
Производитель
QUMO
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
10600
ширина(см)
5.6
Высота (мм)
-
Поддержка ECC
Нет
гарантия
2 года
CAS Latency (CL)
-
Тип модуля
DIMM
Поддержка водяного охлаждения
Нет
Низкопрофильная
Нет
Радиатор
Нет
Подсветка
Нет
Производитель
Qumo
Количество контактов
240
длина(см)
17
Дополнительная информация
-
описание
Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласо
Row Precharge Delay (tRP)
-
